Noutăți

Apple pregătește o schimbare majoră în memoria iPhone-urilor [ACTUALIZAT]

Apple se pregătește să revoluționeze iPhone-urile cu un nou tip de memorie, vizând îmbunătățirea performanțelor legate de inteligența artificială (AI). Se pare că Apple ar putea adopta o configurație hardware complet nouă, schimbând modul în care sunt gestionate memoriile dispozitivelor mobile.

Actualizare: Mulți experți din domeniu au negat categoric acest zvon.

În prezent, Apple utilizează memoria PoP (Package-on-Package), care presupune ca memoria DRAM să fie suprapusă direct pe chip-ul SoC (System-on-Chip). Acest tip de abordare, folosit încă din iPhone 4, ajută la economisirea spațiului în dispozitivele mobile, dar are limitări de viteză și lățime de bandă. Aceste limitări devin din ce în ce mai evidente în aplicațiile care se bazează pe AI.

Prin trecerea la un sistem de memorie discretă, DRAM va fi separată de SoC, iar acest lucru va permite adăugarea unor pini I/O suplimentari, ceea ce va crește viteza de transfer al datelor și va facilita canale paralele mai rapide. Acest tip de arhitectură ar putea oferi noi oportunități pentru gestionarea unor sarcini AI mai complexe.

Apple ar colabora cu Samsung și SK Hynix pentru a dezvolta tehnologii de memorie LPDDR6, care ar putea tripla viteza față de actualul LPDDR5X. O variantă a acestui tip de memorie, LPDDR6-PIM, va integra capacități de procesare direct în memorie, ceea ce va reduce considerabil timpii de latență.

Adoptarea acestei configurații ar putea aduce provocări de inginerie pentru Apple, precum necesitatea reducerii dimensiunilor SoC-ului sau reconfigurarea layout-ului intern pentru a face loc memoriei. Aceste schimbări ar putea influența eficiența energetică și gestionarea căldurii, dar potențialul unui dispozitiv cu capacități AI revoluționare ar justifica aceste modificări.

Catalin

Pasionat de tehnologie și profund atașat ecosistemului Apple, explorez cu entuziasm fiecare inovație care redefinește experiența utilizatorului.

Related Articles

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile obligatorii sunt marcate cu *

Back to top button